=== 塞贝克效应（Seebeck Effect） ===
[[文件:SeebeckEffect.png|200px|thumb|塞贝克效应：温差产生电流]]
半导体在不同的温度下具有不同的载流子密度，当单一半导体两端具有温度差时，载子会扩散以消除密度的差异，因而造成电动势。
由塞贝克效应产生的电压可以表示成：
:<math>V = \int_{T_1}^{T_r} S_\mathrm{B}(T) \, dT + \int_{T_2}^{T_1} S_\mathrm{A}(T) \, dT + \int_{T_r}^{T_2} S_\mathrm{B}(T) \, dT = \int_{T_1}^{T_2} \left( S_\mathrm{B}(T) - S_\mathrm{A}(T) \right) \, dT.</math>
''S''<sub>A</sub>和''S''<sub>B</sub>是金属A和B的塞贝克系数，''T''<sub>1</sub>和''T''<sub>2</sub>是两块金属结合处的温度。塞贝克系数取决于温度和材料的分子结构。如果塞贝克系数在实验的温度范围内接近常数，以上方程可以近似成：
:<math>V = (S_\mathrm{B} - S_\mathrm{A}) \cdot (T_2 - T_1).</math>
=== 帕尔帖效应（Peltier Effect） ===
[[文件:PeltierEffect.png|200px|thumb|帕尔贴效应：电流产生温差]]
帕尔帖效应即為塞贝克效应的反效应，即当在两种金属回路中加入电源产生电势后，不同的金属接触点会有一个温差。