查看“FinFET：22nm~7nm摩尔定律的延续办法”的源代码

    英特尔创始人之一戈登·摩尔在1965年提出了摩尔定律，他指出，集成电路中晶体管的特征尺寸每隔18~24个月会减小为原来的0.7倍，晶体管数量加倍，性能提升、功耗下降，同时价格也会下降。但当特征尺寸由十几年前的1um、0.5um缩小为几年前的40nm、22nm的时候，厂商们遇到了一个问题——MOS晶体管因尺寸过小，导致栅对沟道的控制能力下降，从而发生亚阈值漏电，导致整个CPU出现问题。
    于是，在22nm工艺节点上，英特尔公司提出了FinFET（鳍式场效应晶体管），拉高晶体管的栅极、源极和漏极，增大栅极与源漏的接触面积，从而增强栅对沟道的控制能力，减小漏电流。
    FinFET很快被三星和台积电等全球大厂所采用，延续了很多年，到今天为止，英特尔拥有14nm FinFET的成熟工艺，10nm已经在推进量产；三星的10nm LPP等工艺已经成熟，应用于骁龙835和自家的猎户座系列处理器上；台积电7nm工艺已经量产，全球首发应用于华为海思麒麟980芯片上。
    但好景不长，FinFET对摩尔定律的延续有限，到了7nm节点以下，这个设计已经不再能有效解决问题了。目前，针对7nm以下的发展，又萌生了GAA（环绕栅极场效应晶体管）等一批新架构，未来摩尔定律的延续依靠哪个，我们走着看。